Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (2 enheder, i en pakke med 2)*

Kr. 34,86

(ekskl. moms)

Kr. 43,58

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.940 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 17,43Kr. 34,86
20 - 48Kr. 14,36Kr. 28,72
50 - 98Kr. 13,54Kr. 27,08
100 - 198Kr. 12,53Kr. 25,06
200 +Kr. 11,705Kr. 23,41

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-8546
Elfa Distrelec varenummer:
304-40-507
Producentens varenummer:
IPD380P06NMATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Kanalform

P

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon IPD seriens MOSFET, 75 V maksimal drain source-spænding, 180 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD380P06NMATMA1


Denne MOSFET er en P-kanals effekttransistor, der er designet til kobling med høj strøm i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til biler og industrielle sammenhænge, hvor der kræves en høj termisk og elektrisk ydeevne.

Egenskaber og fordele:


• 75 V maksimal drain-source-spænding muliggør omskiftning ved højere spænding
• 3 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under kraftig strømgennemstrømning
• 180 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende høje strømbelastninger
• 81 W effekttab håndterer betydelig termisk belastning
• 80 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret koblingsenergistyring
• 20 V maks. gate-source-klassificering giver plads til robuste gate-drivniveauer

Anvendelser


• Velegnet til DC-strømfordelingstrin med høj strømstyrke
• Ideel til strømmoduler i biler, der opfylder køretøjskravene
• Anvendes til lav- eller højsidekobling af motordrev
• Kan bruges til strømstyring på kortniveau i barske miljøer
• Anvendes sammen med varmestyringssystemer i strømforsyningsenheder

Hvilket termisk område kan den modstå i krævende miljøer?


Den er normeret til drift fra -55 °C op til 175 °C for at dække ekstreme temperaturforhold.

Hvordan påvirker pakken montering og samling?


TO-252-pakken til overflademontering muliggør automatiseret lodning og kompakt placering af kort til strømkonstruktioner.

Hvilke overvejelser om gating er nødvendige for omskiftning?


Den typiske gate-opladning er 80 nC, så gate-drivere skal forsyne tilstrækkelig opladning til den tilsigtede skiftehastighed.

Hvilke branchekvalifikationer understøtter dens brug i køretøjssystemer?


Den opfylder AEC-Q101-standarden for biler til komponenter, der bruges i køretøjer.

Er der miljømæssige begrænsninger for dens brug i forhold til farlige stoffer?


Den er i overensstemmelse med RoHS-krav, der begrænser specificerede farlige materialer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.