Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 75 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 26,45

(ekskl. moms)

Kr. 33,062

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.438 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 13,225Kr. 26,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-8551
Producentens varenummer:
IPD80R450P7ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET 800V CoolMOS P7-serien sætter en ny standard inden for 800V superjunction-teknologier og kombinerer klassens bedste ydeevne med ART brugervenlighed, der er resultatet af Infineons over 18 års banebrydende innovation inden for superjunction-teknologi.

Klassens bedste FOM RDS(on) Eoss

Klassens bedste DPAK RDS (til)

Klassens bedste V (GS) TH af 3V

Fuldt optimeret portefølje

Integreret ESD-beskyttelse med zenerdiode

Relaterede links