DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET 30 V Forbedring, 6 Ben, UDFN-2020 Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.748,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.435,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,916Kr. 2.748,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
246-6868
Producentens varenummer:
DMT3020UFDB-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

UDFN-2020

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.03Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

12 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

0.86W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

DiodesZetex er en dobbelt N-kanal-forstærkningstilstand MOSFET, der er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i U-DFN2020-6-emballage og 0,6mm-profil gør den ideel til applikationer med lav profil. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.

Maksimal afløbsspænding til kildespænding er 30 V maksimal gate-til-kilde spænding er ± 12 V den har PCB-sokkel på 4mm^2 den har lav gate-tærskelspænding og giver en ESD-beskyttet gate

Relaterede links