DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 7.7 A 30 V Forbedring, 6 Ben, UDFN-2020, DMT AEC-Q101 DMT3020LFDBQ-7
- RS-varenummer:
- 222-2871
- Producentens varenummer:
- DMT3020LFDBQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 92,00
(ekskl. moms)
Kr. 115,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.775 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,68 | Kr. 92,00 |
| 50 - 75 | Kr. 3,602 | Kr. 90,05 |
| 100 - 225 | Kr. 2,552 | Kr. 63,80 |
| 250 - 975 | Kr. 2,507 | Kr. 62,68 |
| 1000 + | Kr. 1,625 | Kr. 40,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2871
- Producentens varenummer:
- DMT3020LFDBQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMT | |
| Emballagetype | UDFN-2020 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.02Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMT | ||
Emballagetype UDFN-2020 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.02Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex dobbelt n-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP.
Lav gate-tærskelspænding
Lav aktiv modstand
Fuldstændig blyfri og fuldt i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 7.7 A 30 V Forbedring UDFN-2020, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal Dobbelt 3.1 A 20 V Forbedring UDFN-2020 AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal 14.1 A 30 V Forbedring UDFN, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 Ben, UDFN-2020 Nej
- DiodesZetex Type N-Kanal 14.1 A 30 V Forbedring UDFN, DMT AEC-Q101 DMT3006LFDFQ-7
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 Ben, UDFN-2020 Nej DMT3020UFDB-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 11 A 20 V Forbedring UDFN-2020 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10 A 30 V Forbedring UDFN-2020 AEC-Q101