DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 14.1 A 30 V Forbedring, 6 Ben, UDFN, DMT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-2866
- Producentens varenummer:
- DMT3006LFDFQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 50,65
(ekskl. moms)
Kr. 63,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 8.150 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,026 | Kr. 50,65 |
| 50 - 75 | Kr. 1,982 | Kr. 49,55 |
| 100 - 225 | Kr. 1,405 | Kr. 35,13 |
| 250 - 975 | Kr. 1,381 | Kr. 34,53 |
| 1000 + | Kr. 0,922 | Kr. 23,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2866
- Producentens varenummer:
- DMT3006LFDFQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | UDFN | |
| Serie | DMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.63mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.05 mm | |
| Længde | 2.05mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype UDFN | ||
Serie DMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.63mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.05 mm | ||
Længde 2.05mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP.
Print footprint på 4 mm2
Lav gate-tærskelspænding
Hurtig koblingshastighed
Fuldstændig blyfri og fuldt i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 14.1 A 30 V Forbedring UDFN, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 7.7 A 30 V Forbedring UDFN-2020, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 11.5 A 50 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring UDFN, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 82 A 40 V Forbedring PowerDI5060, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 46.3 A 100 V Forbedring TO-252, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 7.6 A 60 V Forbedring SOIC, DMT AEC-Q101
