DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101 DMT32M4LPSW-13

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 40,06

(ekskl. moms)

Kr. 50,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.490 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 4,006Kr. 40,06

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
246-7549
Producentens varenummer:
DMT32M4LPSW-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerDI5060-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0028Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.73W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.4mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

DiodesZetex er en ny generation af N-kanal-forbedringsmodus MOSFET og er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i powerDI5060-8-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse. Mindre end 1,1 mm af emballagestørrelsen gør den ideel til tynde opgaver.

Maksimal drain til kildespænding er 40 V, og maksimal gate-til-kilde spænding er ± 20 V termisk effektivt hus, der er ideelt til køligere anvendelser og giver lav indgangskapacitet

Relaterede links