Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 64 A 75 V N, 7 Ben, TO-263, IMBG Nej IMBG65R260M1HXTMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 29,02

(ekskl. moms)

Kr. 36,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 939 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 29,02
10 - 24Kr. 27,53
25 - 49Kr. 27,00
50 - 99Kr. 25,21
100 +Kr. 23,49

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
248-9330
Producentens varenummer:
IMBG65R260M1HXTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

64A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Emballagetype

TO-263

Serie

IMBG

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon SiC MOSFET er en 650 V CoolSiC-enhed, der er bygget over den solide siliciumcarbid-teknologi og udnytter de brede egenskaber for SiC-bandgap. 650 V CoolSiC MOSFET tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed, der er velegnet til høje temperaturer og barske forhold. det muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.

Optimeret skifteadfærd ved højere strømstyrker

Kommuteret robust hurtig husdiode med lav QF

Overlegen gate-oxid pålidelighed

TJ, maks.-175 oC og fremragende termisk adfærd

Lavere RDS (til) og impulsstrøm afhængig af temperatur

Øget lavine-kapacitet

Kompatibel med standarddrivere

Kelvin-kilde giver op til 4 gange lavere kontakttab

Relaterede links