Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, 3 Ben, TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6868
- Producentens varenummer:
- AUIRF3205
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 26,40
(ekskl. moms)
Kr. 33,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 954 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 26,40 |
| 10 - 24 | Kr. 25,13 |
| 25 - 49 | Kr. 24,53 |
| 50 - 99 | Kr. 22,89 |
| 100 + | Kr. 21,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6868
- Producentens varenummer:
- AUIRF3205
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 230A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 230A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie AUIRFS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planlæggerteknologi
LowOn - modstand
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 C driftstemperatur
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 230 A 75 V TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 260 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 42 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 160 A 60 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 127 A 100 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
