Infineon N-Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, 3 Ben, TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6868
- Producentens varenummer:
- AUIRF3205
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 25,58
(ekskl. moms)
Kr. 31,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 948 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 25,58 |
| 10 - 24 | Kr. 24,31 |
| 25 - 49 | Kr. 23,79 |
| 50 - 99 | Kr. 22,14 |
| 100 + | Kr. 20,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6868
- Producentens varenummer:
- AUIRF3205
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 230A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 230A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie AUIRFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planlæggerteknologi
LowOn - modstand
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 C driftstemperatur
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 230 A 75 V TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 195 A 40 V TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 260 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 42 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 545 A 40 V Forbedring DirectFET, AUIRF AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
