Infineon Type N-Kanal Halvbro, Effekttransistor, 45 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOSTM AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6887
- Producentens varenummer:
- IAUC45N04S6N070HATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 48,02
(ekskl. moms)
Kr. 60,025
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.505 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,604 | Kr. 48,02 |
| 50 - 120 | Kr. 8,558 | Kr. 42,79 |
| 125 - 245 | Kr. 7,974 | Kr. 39,87 |
| 250 - 495 | Kr. 7,48 | Kr. 37,40 |
| 500 + | Kr. 6,912 | Kr. 34,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6887
- Producentens varenummer:
- IAUC45N04S6N070HATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOSTM | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 41W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Halvbro | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOSTM | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 41W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Halvbro | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.
175 °C driftstemperatur
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 45 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, OptiMOSTM AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 60 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC60N04S6N050H AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 45 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC45N04S6L063H AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 60 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 60 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 430 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8-43, OptiMOSTM AEC-Q101 IAUCN04S7L005ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 275 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8-34, OptiMOSTM AEC-Q101 IAUCN04S7L009ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8-33, OptiMOSTM AEC-Q101 IAUCN04S7N030ATMA1
