Infineon Type N-Kanal Halvbro, Effekttransistor, 60 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC60N04S6N050H AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 17.370,00

(ekskl. moms)

Kr. 21.710,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 3,474Kr. 17.370,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
249-6893
Producentens varenummer:
IAUC60N04S6N050HATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekttransistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SuperSO8 5 x 6

Serie

IAUC60N04S6N050H

Benantal

8

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Transistorkonfiguration

Halvbro

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.

175 °C driftstemperatur

Relaterede links