Infineon N-Kanal Halvbro, Effekttransistor, 60 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC60N04S6N050H AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 20.735,00

(ekskl. moms)

Kr. 25.920,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 4,147Kr. 20.735,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
249-6893
Producentens varenummer:
IAUC60N04S6N050HATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

IAUC60N04S6N050H

Emballagetype

SuperSO8 5 x 6

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Halvbro

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.

175 °C driftstemperatur

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.