Infineon 2 Type N-Kanal Dual N, OptiMOSTM2 Lille-signal-transistorer, 880 mA 20 V Dual N, 6 Ben, US, BSD840N AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0525
- Producentens varenummer:
- BSD840NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.091,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.613,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 9.000 enhed(er) afsendes fra 18. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,697 | Kr. 2.091,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0525
- Producentens varenummer:
- BSD840NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | OptiMOSTM2 Lille-signal-transistorer | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 880mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | BSD840N | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 400mΩ | |
| Kanalform | Dual N | |
| Portkildespænding maks. | 750mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.26nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dual N | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype OptiMOSTM2 Lille-signal-transistorer | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 880mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie BSD840N | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 400mΩ | ||
Kanalform Dual N | ||
Portkildespænding maks. 750mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.26nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dual N | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon BSD840N-serien OptiMOSTM2 småsignal-transistorer, 20 V drain-source-spænding, 0,88 A kontinuerlig drain-strøm - BSD840NH6327XTSA1
Denne optimostm2 lille-signal-transistor-enhed er en dobbelt N-kanal MOSFET, der er designet til kompakt signalhåndtering og koblingsopgaver i bilmiljøer. Den fungerer ved lav gate-spænding og giver en balance mellem modstand ved tænding og strømkapacitet til styringskredsløb i begrænsede layouts. Pakken og konstruktionen passer til implementering på kortniveau, hvor der kræves termisk modstandsdygtighed og lovgivningsmæssige materialestandarder.
Egenskaber og fordele:
• 400 mΩ Rds reducerer ledningstab til kobling med lavt strømforbrug
• Maksimal portgrænse på 0,75 V muliggør kompatibilitet med lavspændingsdrev
• 0,26 nC gate-opladning minimerer krav til koblingsenergi og drev
• 0,88 A kontinuerlig strøm understøtter beskedne belastningsstrømme pålideligt
• 150 °C maks. mærketemperatur muliggør drift ved høje temperaturer
• Maksimal portgrænse på 0,75 V muliggør kompatibilitet med lavspændingsdrev
• 0,26 nC gate-opladning minimerer krav til koblingsenergi og drev
• 0,88 A kontinuerlig strøm understøtter beskedne belastningsstrømme pålideligt
• 150 °C maks. mærketemperatur muliggør drift ved høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til 2-kanals signalomskiftning i bilelektronik
• Ideel til strømstyringskredsløb med lavspændings gate-driver
• Anvendes med kompakte kortlayouter, der kræver SOT-363-emballage
• Kan bruges til omskiftning af sensorinterfaces i barske miljøer
• Anvendes til dobbelte MOSFET-arrangementer i styremoduler
• Ideel til strømstyringskredsløb med lavspændings gate-driver
• Anvendes med kompakte kortlayouter, der kræver SOT-363-emballage
• Kan bruges til omskiftning af sensorinterfaces i barske miljøer
• Anvendes til dobbelte MOSFET-arrangementer i styremoduler
Hvilken hustype bruger den til kompakte design?
Den leveres i et SOT-363-pakke med seks ben, der er velegnet til tæt placering af printkort.
Hvilken bilstandard opfylder den for kvalificering?
Den opfylder en kvalificeringsstandard for bilkomponenter, der gælder for diskrete halvledere.
Hvilket temperaturområde kan enheden fungere inden for?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C.
Hvor mange transistorer er tilgængelige pr. chip, og hvordan er de konfigureret?
Chippen indeholder to elementer, der er arrangeret som en dobbelt N-konfiguration.
Hvilken materiale- og miljøstandard gælder for dens konstruktion?
Enheden er i overensstemmelse med RoHS og relevante IEC-materialspecifikationer.
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N 880 mA 20 V Dual N US, BSD840N AEC-Q101
- Infineon N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 100 V Dual N TDSON, OptiMOSTM-T2
- TE Connectivity EU Triband & WCDMA US Dual Udvendig, SMA
- NL27WZ00USG NAND NL LVCMOS 8 Ben, US 2 Nej
- Infineon N-Kanal Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand 16 A 100 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Dual N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 880 mA 20 V Forbedring US AEC-Q101
- STMicroelectronics Dual N-Kanal 5 Ben, LBB