Infineon 2 Type P-Kanal Dual N, OptiMOSTM2 Lille-signal-transistorer, 0.88 A 20 V Dual N, 6 Ben, US, BSD840N AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0526
- Producentens varenummer:
- BSD840NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 17,13
(ekskl. moms)
Kr. 21,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 220 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 1,713 | Kr. 17,13 |
| 100 - 240 | Kr. 1,631 | Kr. 16,31 |
| 250 - 490 | Kr. 1,115 | Kr. 11,15 |
| 500 - 990 | Kr. 1,032 | Kr. 10,32 |
| 1000 + | Kr. 0,778 | Kr. 7,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0526
- Producentens varenummer:
- BSD840NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | OptiMOSTM2 Lille-signal-transistorer | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.88A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | BSD840N | |
| Emballagetype | US | |
| Benantal | 6 | |
| Kanalform | Dual N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.26nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dual N | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype OptiMOSTM2 Lille-signal-transistorer | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.88A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie BSD840N | ||
Emballagetype US | ||
Benantal 6 | ||
Kanalform Dual N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.26nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dual N | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon n-kanal produkter med lille signal er velegnede til brug i biler. Denne enhed er OptiMOS 2 småsignal-transistor. Dobbelt N-kanal, forstærkningstilstand. Enheden tilbyder Ultra Logic-niveau (1,8V-klassificeret), og den er Avalanche-klassificeret.
Forbedringsfunktion og blyfri blybelægning
VdS er 20 V og ID er 0,88 A.
Relaterede links
- Infineon 2 Type P-Kanal Dual N 0.88 A 20 V Dual N US, BSD840N AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 100 V Dual N TDSON,
- TE Connectivity EU Triband & WCDMA US Dual Udvendig, SMA
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand 16 A 100 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Dual N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,
- SN74LVC2G86DCUT OR LVC Single ended 8 Ben, US 2 Nej
- NC7WZ02K8X NOR TinyLogic UHS CMOS 8 Ben, US 2 Nej
- STMicroelectronics Dual N-Kanal 5 Ben, LBB
