Infineon 2 Type P-Kanal Dual N, OptiMOSTM2 Lille-signal-transistorer, 0.88 A 20 V Dual N, 6 Ben, US, BSD840N AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0526
- Producentens varenummer:
- BSD840NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 14,06
(ekskl. moms)
Kr. 17,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 14.910 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 1,406 | Kr. 14,06 |
| 100 - 240 | Kr. 1,339 | Kr. 13,39 |
| 250 - 490 | Kr. 0,913 | Kr. 9,13 |
| 500 - 990 | Kr. 0,845 | Kr. 8,45 |
| 1000 + | Kr. 0,636 | Kr. 6,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0526
- Producentens varenummer:
- BSD840NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | OptiMOSTM2 Lille-signal-transistorer | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.88A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | US | |
| Serie | BSD840N | |
| Benantal | 6 | |
| Kanalform | Dual N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.26nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dual N | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype OptiMOSTM2 Lille-signal-transistorer | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.88A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype US | ||
Serie BSD840N | ||
Benantal 6 | ||
Kanalform Dual N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.26nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dual N | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon n-kanal produkter med lille signal er velegnede til brug i biler. Denne enhed er OptiMOS 2 småsignal-transistor. Dobbelt N-kanal, forstærkningstilstand. Enheden tilbyder Ultra Logic-niveau (1,8V-klassificeret), og den er Avalanche-klassificeret.
Forbedringsfunktion og blyfri blybelægning
VdS er 20 V og ID er 0,88 A.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 880 mA 20 V SOT-363 BSD840NH6327XTSA1
- onsemi P-Kanal 880 mA 20 V SOT-363 NTJD4152PT1G
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 250 mA 30 V SOT-363 NTJD4158CT1G
- Infineon P-Kanal 390 mA 20 V SOT-363 BSD223PH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 150 mA 20 V SOT-363 BSV236SPH6327XTSA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 950 mA 20 V SOT-363 BSD235CH6327XTSA1
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 220 mA 6 ben, SOT-363 FDG6322C
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 600 mA 6 ben, SOT-363 FDG6332C
