Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -1.5 A 40 V Forbedring, 6 Ben, US, BSV AEC-Q101 BSV236SPH6327XTSA1
- RS-varenummer:
- 250-0562
- Producentens varenummer:
- BSV236SPH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 33,51
(ekskl. moms)
Kr. 41,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.340 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 3,351 | Kr. 33,51 |
| 50 - 90 | Kr. 3,201 | Kr. 32,01 |
| 100 - 240 | Kr. 2,857 | Kr. 28,57 |
| 250 - 490 | Kr. 2,588 | Kr. 25,88 |
| 500 + | Kr. 2,424 | Kr. 24,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0562
- Producentens varenummer:
- BSV236SPH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -1.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSV | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -1.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSV | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-P er en lille signal-transistor, som er P-kanal i tilstanden forstærkning. Super Logic Level (2,5 V). Den er lavine-klassificeret og dv/dt-klassificeret.
VDS er 20 V, RDS(on) er 175 mΩ og ID er 1,5 A.
Driftstemperatur 150 oC
Maks. effekttab er 560mW
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 150 mA 20 V SOT-363 BSV236SPH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 880 mA 20 V SOT-363 BSD840NH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 390 mA 20 V SOT-363 BSD223PH6327XTSA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 950 mA 20 V SOT-363 BSD235CH6327XTSA1
- Vishay P-Kanal 520 mA 150 V SOT-363, TrenchFET SI1411DH-T1-GE3
- Infineon P-Kanal 150 mA 30 V SOT-23 BSS315PH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 150 mA 60 V SOT-323, SIPMOS® BSS84PWH6327XTSA1
- onsemi P-Kanal 880 mA 20 V SOT-363 NTJD4152PT1G
