onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 880 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, US AEC-Q101 NTJD4152PT1G
- RS-varenummer:
- 780-0611
- Producentens varenummer:
- NTJD4152PT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 44,525
(ekskl. moms)
Kr. 55,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Manglende forsyning
- 23.150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 1,781 | Kr. 44,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-0611
- Producentens varenummer:
- NTJD4152PT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 880mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350mW | |
| Portkildespænding maks. | ±12 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 880mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350mW | ||
Portkildespænding maks. ±12 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 880 mA 20 V Forbedring US AEC-Q101
- onsemi 2 Type N MOSFET 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- onsemi 2 Type N MOSFET 6 Ben, SC-88 AEC-Q101 NTJD4158CT1G
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 550 mA 30 V Forbedring US, DMP31 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 550 mA 30 V Forbedring US, DMP31 AEC-Q101 DMP31D7LDW-7
- onsemi Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SOT-23, BVSS8L AEC-Q101
- onsemi Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SOT-23, BSS84L AEC-Q101
- onsemi Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SOT-23, BVSS8L AEC-Q101 BVSS84LT1G
