Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.50 A -20 V Forbedring, 6 Ben, US, BSV AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0561
- Producentens varenummer:
- BSV236SPH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.935,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.418,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,645 | Kr. 1.935,00 |
| 6000 - 6000 | Kr. 0,581 | Kr. 1.743,00 |
| 9000 + | Kr. 0,524 | Kr. 1.572,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0561
- Producentens varenummer:
- BSV236SPH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -20V | |
| Serie | BSV | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.50A | ||
Drain source spænding maks. Vds -20V | ||
Serie BSV | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-P er en lille signal-transistor, som er P-kanal i tilstanden forstærkning. Super Logic Level (2,5 V). Den er lavine-klassificeret og dv/dt-klassificeret.
VDS er 20 V, RDS(on) er 175 mΩ og ID er 1,5 A.
Driftstemperatur 150 oC
Maks. effekttab er 560mW
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -1.5 A 40 V Forbedring US, BSV AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -0.39 A 40 V Forbedring US, BSD AEC-Q101
- Infineon 2 Type N MOSFET 6 Ben BSD235C AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.5 A 20 V Forbedring US, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring US, BSD AEC-Q101
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 880 mA 20 V Forbedring US AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 550 mA 30 V Forbedring US, DMP31 AEC-Q101