Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -1.5 A 40 V Forbedring, 6 Ben, US, BSV AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.968,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.460,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 27. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,656Kr. 1.968,00
6000 - 6000Kr. 0,591Kr. 1.773,00
9000 +Kr. 0,532Kr. 1.596,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0561
Producentens varenummer:
BSV236SPH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-1.5A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

US

Serie

BSV

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P er en lille signal-transistor, som er P-kanal i tilstanden forstærkning. Super Logic Level (2,5 V). Den er lavine-klassificeret og dv/dt-klassificeret.

VDS er 20 V, RDS(on) er 175 mΩ og ID er 1,5 A.

Driftstemperatur 150 oC

Maks. effekttab er 560mW

Relaterede links