Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -0.39 A 40 V Forbedring, 6 Ben, US, BSD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0520
- Producentens varenummer:
- BSD223PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.248,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.560,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,416 | Kr. 1.248,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 0,396 | Kr. 1.188,00 |
| 15000 + | Kr. 0,379 | Kr. 1.137,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0520
- Producentens varenummer:
- BSD223PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -0.39A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | US | |
| Serie | BSD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -0.39A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype US | ||
Serie BSD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon meget innovative OptiMOS serien omfatter optimeret tilstand mosfet med Super Logic-niveau. Den er lavine- og dv/dt-klassificeret. Den giver hurtig omskiftning. Enheden er blyfri og halogenfri. VdS er -20 V, RDS(on) er 1,2 Ω, mens ID er -0,39 A.
Lever konsekvent op til de højeste krav til kvalitet og ydeevne
Stor modstand i forhold til staten og karakterstyrke
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -0.39 A 40 V Forbedring US, BSD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring US, BSD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -1.5 A 40 V Forbedring US, BSV AEC-Q101
- Infineon 2 Type N MOSFET 6 Ben BSD235C AEC-Q101
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 880 mA 20 V Forbedring US AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.5 A 20 V Forbedring US, OptiMOS 2 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 550 mA 30 V Forbedring US, DMP31 AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS P AEC-Q101