Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -0.39 A 40 V Forbedring, 6 Ben, US, BSD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0520
- Producentens varenummer:
- BSD223PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.803,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.253,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,601 | Kr. 1.803,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 0,571 | Kr. 1.713,00 |
| 15000 + | Kr. 0,547 | Kr. 1.641,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0520
- Producentens varenummer:
- BSD223PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -0.39A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSD | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -0.39A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSD | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon meget innovative OptiMOS serien omfatter optimeret tilstand mosfet med Super Logic-niveau. Den er lavine- og dv/dt-klassificeret. Den giver hurtig omskiftning. Enheden er blyfri og halogenfri. VdS er -20 V, RDS(on) er 1,2 Ω, mens ID er -0,39 A.
Lever konsekvent op til de højeste krav til kvalitet og ydeevne
Stor modstand i forhold til staten og karakterstyrke
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 390 mA 20 V SOT-363 BSD223PH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 880 mA 20 V SOT-363 BSD840NH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 150 mA 20 V SOT-363 BSV236SPH6327XTSA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 950 mA 20 V SOT-363 BSD235CH6327XTSA1
- onsemi P-Kanal 880 mA 20 V SOT-363 NTJD4152PT1G
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 220 mA 6 ben, SOT-363 FDG6322C
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 600 mA 6 ben, SOT-363 FDG6332C
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 600 mA 6 ben, SOT-363 DMC2710UDWQ-7
