Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Forbedring, 6 Ben, US, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.470,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.830,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,49Kr. 1.470,00
6000 - 12000Kr. 0,466Kr. 1.398,00
15000 +Kr. 0,446Kr. 1.338,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4331
Producentens varenummer:
BSD214SNH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.5A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

250mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

12 V

Effektafsættelse maks. Pd

0.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2.02mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.35 mm

Højde

1mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ 2 småsignal-transistor er kvalificeret i henhold til AEC Q101.

N-kanal

Enhancement mode

Super Logic-niveau (2,5 V nominel)

Relaterede links