Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Forbedring, 6 Ben, US, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.320,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.650,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,44Kr. 1.320,00
6000 - 12000Kr. 0,418Kr. 1.254,00
15000 +Kr. 0,40Kr. 1.200,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4331
Producentens varenummer:
BSD214SNH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.5A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

US

Serie

OptiMOS 2

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

250mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

0.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Længde

2.02mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ 2 småsignal-transistor er kvalificeret i henhold til AEC Q101.

N-kanal

Enhancement mode

Super Logic-niveau (2,5 V nominel)

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.