Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Forbedring, 6 Ben, US, OptiMOS 2 AEC-Q101 BSD214SNH6327XTSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 200 enheder)*

Kr. 115,00

(ekskl. moms)

Kr. 143,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 8.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
200 +Kr. 0,575Kr. 115,00

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4333
Producentens varenummer:
BSD214SNH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.5A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

250mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

0.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

12 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2.02mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Bredde

1.35 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ 2 småsignal-transistor er kvalificeret i henhold til AEC Q101.

N-kanal

Enhancement mode

Super Logic-niveau (2,5 V nominel)

Relaterede links