Infineon 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 1.5 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP-6, OptiMOS™ AEC-Q101

RS-varenummer:: 166-1082
Producentens varenummer:: BSL316CH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 1.5 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP-6, OptiMOS™ AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.231,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.038,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

30.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 1,077	Kr. 3.231,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 166-1082
Producentens varenummer:: BSL316CH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N, Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.5A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	TSOP-6
	Serie	OptiMOS™
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	280mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	500mW
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	2.4nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	0.86V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Længde	2.9mm
	Højde	1mm
	Bredde	1.6mm
	Standarder/godkendelser	No
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N, Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype TSOP-6
	Serie OptiMOS™
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 280mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 500mW
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.4nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 0.86V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Længde 2.9mm
	Højde 1mm
	Bredde 1.6mm
	Standarder/godkendelser No
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder AEC-Q101

COO (Country of Origin):: MY

Infineon OptiMOSTM seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 1,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSL316CH6327XTSA1

Denne MOSFET giver kompakt, overflademonteret omskiftning til lavspændingsanvendelser i biler og industrielle sammenhænge. Det er en isoleret 2-kanals transistor, der er designet til drift med forstærkning og tilbyder både N- og P-kanalelementer i et 6-benet TSOP-hus. Enheden understøtter typisk gate-ladningsadfærd, der er velegnet til hurtig omskiftning, og fungerer over et bredt temperaturområde, der kræves i barske miljøer.

Egenskaber og fordele:

• 30 V afløbsspænding muliggør lavspændingssystemskiftning
• 280 mΩ drain-source-modstand reducerer ledningstab
• 2.4 nC typisk gate-ladning for effektivt gate-drev
• 1,5 A kontinuerlig afløbsstrøm til moderate strømbelastninger
• 500 mW effekttab forhindrer overophedning i kompakte layouts
• AEC-Q101-kvalifikation sikrer egnethed til brug i biler

Anvendelser

• Velegnet til omskiftning af jævnstrømsbelastning i køretøjselektronik
• Anvendes til komplementære push-pull-skruetrækkere
• Ideel til SMD-strømstyring på styrekort
• Kan bruges til batteribeskyttelse og belastningsfrakobling
• Velegnet til temperaturfølsomme bilmoduler

Hvilket antal ben og pakketype bruger den?

Komponenten leveres i en 6-benet TSOP‐6-pakke til overflademontering, der er optimeret til kompakte samlinger.

Hvordan fungerer den på tværs af temperaturer?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og opretholder funktionaliteten under ekstreme omgivelsesforhold.

Er enheden enkelt- eller multi-element?

Indsatsen indeholder to isolerede elementer, der giver både N- og P-kanal-konfigurationer på en enkelt chip.

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes?

Port-til-kilde-spændingen må ikke overstige 20 V for at forhindre beskadigelse af portisolering.