Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 2 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS P AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-5552
- Producentens varenummer:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 4.227,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.283,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 1,409 | Kr. 4.227,00 |
| 6000 + | Kr. 1,339 | Kr. 4.017,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5552
- Producentens varenummer:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | -5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOP | ||
Serie OptiMOS P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk -5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er
InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.
Enhancement mode
Avalanche nominel
Lav kobling og ledende effekttab
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS
Standardpakker
OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret 2 A 30 V Forbedring TSOP, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon 2 Type P MOSFET 6 Ben OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N MOSFET 6 Ben OptiMOS™ AEC-Q101
- Infineon 1 Type P MOSFET-arrays 6 Ben OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.18 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 310 mA 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101