Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 2 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS P AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 4.227,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.283,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 1,409Kr. 4.227,00
6000 +Kr. 1,339Kr. 4.017,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5552
Producentens varenummer:
BSL308PEH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

OptiMOS P

Emballagetype

TSOP

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

130mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

-5nC

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Bredde

1.6mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.9mm

Højde

1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS P seriens MOSFET, 30 V drain source-spænding, 2 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSL308PEH6327XTSA1


Denne MOSFET er en P-kanalforstærket transistor, der er beregnet til overflademonterede anvendelser inden for bil- og industriel elektronik. Den giver switchede enhedsfunktioner til miljøer med høje temperaturer og leveres i et kompakt TSOP 6-benet hus med dobbelte elementer på en enkelt chip, der er velegnet til pladsbegrænsede kredsløbsenheder.

Egenskaber og fordele:


• Lav modstand ved tænding på 130 mΩ reducerer ledningstab
• Mærket til 30 V drain-source-spænding, der muliggør brug af 30 V-system
• Kontinuerlig afløbsstrømkapacitet på 2 A understøtter moderate belastninger
• Typisk gateopladning -5 nC ved Vgs for hurtigere koblingsrespons
• Effekttab på 500 mW muliggør pålidelig termisk håndtering
• Kvalificeret iht. AEC-Q101 for belastningsevne i biler

Anvendelser


• Velegnet til højtemperatur-køretøjsstrømkontakter
• Ideel til belastningsskiftning i batteristyringssystemer
• Anvendes sammen med DC-DC-omformere, der kræver P-kanalenheder
• Kan bruges til 2-kanals polaritetsbeskyttelseskredsløb
• Velegnet til kompakte strømfordelerkort til overflademontering

Hvilke gate-spændingsgrænser skal jeg overholde for sikker drift?


Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige 20 V i begge polariteter for at undgå enhedsbelastning.

Hvor mange transistorer er indeholdt på chippen, og hvad muliggør det?


Der er to P-kanalelementer pr. chip, hvilket muliggør parret kobling eller forenklede dobbeltkanalslayouter.

Hvilket omgivelsestemperaturområde kan enheden modstå under drift?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C til anvendelser med høje forbindelsestemperaturer.

Hvordan påvirker pakken kortplacering og routing?


TSOP 6-benet overfladepakke minimerer kortfodaftrykket og forenkler termisk og signalføring til kompakte design.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.