Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 2 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS P AEC-Q101 BSL308PEH6327XTSA1
- RS-varenummer:
- 892-2172
- Producentens varenummer:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 40 enheder)*
Kr. 112,44
(ekskl. moms)
Kr. 140,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 40 + | Kr. 2,811 | Kr. 112,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 892-2172
- Producentens varenummer:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | -5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.6 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Distrelec Product Id | 304-44-410 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Emballagetype TSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk -5nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.6 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Distrelec Product Id 304-44-410 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er
InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.
Enhancement mode
Avalanche nominel
Lav kobling og ledende effekttab
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS
Standardpakker
OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 2 A 30 V TSOP-6, OptiMOS P BSL308PEH6327XTSA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 2 6 ben OptiMOS™ BSL308CH6327XTSA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 1 1 -30 (P-kanal) V TSOP-6, OptiMOS™
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 1 1 6 ben OptiMOS™ BSL316CH6327XTSA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 1 6 ben OptiMOS™ BSL215CH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 5 6 ben HEXFET IRFTS9342TRPBF
- Infineon P-Kanal 5 PG-TSOP-6-1 BSL307SPH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 6 6 ben HEXFET IRLTS2242TRPBF
