Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 2 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS P AEC-Q101

RS-varenummer:: 892-2172
Elfa Distrelec varenummer:: 304-44-410
Producentens varenummer:: BSL308PEH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 2 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS P AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 40 enheder)*

Kr. 112,44

(ekskl. moms)

Kr. 140,56

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

5.760 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
40 +	Kr. 2,811	Kr. 112,44

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 892-2172
Elfa Distrelec varenummer:: 304-44-410
Producentens varenummer:: BSL308PEH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	2A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	TSOP
	Serie	OptiMOS P
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	130mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	-5nC
	Effektafsættelse maks. Pd	500mW
	Gennemgangsspænding Vf	-0.8V
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1mm
	Længde	2.9mm
	Bredde	1.6mm
	Standarder/godkendelser	No
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype TSOP
	Serie OptiMOS P
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 130mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk -5nC
	Effektafsættelse maks. Pd 500mW
	Gennemgangsspænding Vf -0.8V
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1mm
	Længde 2.9mm
	Bredde 1.6mm
	Standarder/godkendelser No
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Infineon OptiMOS P seriens MOSFET, 30 V drain source-spænding, 2 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSL308PEH6327XTSA1

Denne MOSFET er en P-kanalforstærket transistor, der er beregnet til overflademonterede anvendelser inden for bil- og industriel elektronik. Den giver switchede enhedsfunktioner til miljøer med høje temperaturer og leveres i et kompakt TSOP 6-benet hus med dobbelte elementer på en enkelt chip, der er velegnet til pladsbegrænsede kredsløbsenheder.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding på 130 mΩ reducerer ledningstab
• Mærket til 30 V drain-source-spænding, der muliggør brug af 30 V-system
• Kontinuerlig afløbsstrømkapacitet på 2 A understøtter moderate belastninger
• Typisk gateopladning -5 nC ved Vgs for hurtigere koblingsrespons
• Effekttab på 500 mW muliggør pålidelig termisk håndtering
• Kvalificeret iht. AEC-Q101 for belastningsevne i biler

Anvendelser

• Velegnet til højtemperatur-køretøjsstrømkontakter
• Ideel til belastningsskiftning i batteristyringssystemer
• Anvendes sammen med DC-DC-omformere, der kræver P-kanalenheder
• Kan bruges til 2-kanals polaritetsbeskyttelseskredsløb
• Velegnet til kompakte strømfordelerkort til overflademontering

Hvilke gate-spændingsgrænser skal jeg overholde for sikker drift?

Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige 20 V i begge polariteter for at undgå enhedsbelastning.

Hvor mange transistorer er indeholdt på chippen, og hvad muliggør det?

Der er to P-kanalelementer pr. chip, hvilket muliggør parret kobling eller forenklede dobbeltkanalslayouter.

Hvilket omgivelsestemperaturområde kan enheden modstå under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C til anvendelser med høje forbindelsestemperaturer.

Hvordan påvirker pakken kortplacering og routing?

TSOP 6-benet overfladepakke minimerer kortfodaftrykket og forenkler termisk og signalføring til kompakte design.