Infineon 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 1.5 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.906,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.884,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 15.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,302Kr. 3.906,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-1086
Producentens varenummer:
BSL215CH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.5A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

TSOP

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Portkildespænding maks.

-12, +12V

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.6mm

Længde

2.9mm

Højde

1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 1,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSL215CH6327XTSA1


Denne MOSFET er en kompakt overflademonteret effekttransistorenhed, der er designet til omskiftning og forstærkning i biler og industrielle sammenhænge. Den består af parrede transistorelementer i en isoleret konfiguration for at understøtte komplementære anvendelser, hvor både P-kanal og N-kanal drift er påkrævet. Komponenten er skræddersyet til brug på printkort, hvor et lille fodaftryk og branchens specifikke pålidelighed er vigtige.

Egenskaber og fordele:


• Lav gate-ladning på 3 nC muliggør hurtigere skifteydeevne
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 1,5 A understøtter kredsløb med moderat belastning
• Drain-source-modstand på 280 mΩ reducerer ledningstab
• Mærket til 20 V drain-source-spænding til lavspændingssystemer
• Effekttab på 500 mW styrer termisk belastning i kompakte design
• Kvalificeret iht. AEC-Q101 for øget belastningstolerance i biler

Anvendelser


• Velegnet til signalomskiftning og styringskredsløb i biler
• Anvendes sammen med batteristyrings- og strømfordelingsmoduler
• Ideel til kompakte DC-DC-omformere og spændingsregulatorer
• Kan bruges til belastningsswitching i infotainment-undersystemer
• Velegnet til indlejrede motorstyringsdrivertrin

Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?


Den fungerer over -55 °C til 150 °C, hvilket muliggør brug fra kolde starter til høje underkapslingstemperaturer.

Hvor mange transistorelementer er anbragt på chippen?


Enheden indeholder to elementer pr. chip, der er arrangeret i en isoleret konfiguration til fleksible kredsløbstopologier.

Hvilken pakke og hvilket antal ben skal designere planlægge?


Den leveres i en TSOP-pakke med seks ben til overflademontering og layoutplanlægning.

Hvilke gate-source- og fremadgående spændingsgrænser skal overholdes?


Den maksimale gate-source-spænding er 12 V, og den fremadgående spænding er 0,8 V for diodeledning.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.