Infineon 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 1.5 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101 BSL215CH6327XTSA1
- RS-varenummer:
- 110-7726
- Producentens varenummer:
- BSL215CH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 bånd af 60 enheder)*
Kr. 133,14
(ekskl. moms)
Kr. 166,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 17.700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 60 + | Kr. 2,219 | Kr. 133,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 110-7726
- Producentens varenummer:
- BSL215CH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.6 mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-36-974 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.6 mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-36-974 | ||
Infineon OptiMOS™ Dual MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 1 6 ben OptiMOS™ BSL215CH6327XTSA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 1 1 -30 (P-kanal) V TSOP-6, OptiMOS™
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 1 1 6 ben OptiMOS™ BSL316CH6327XTSA1
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 3 2 6 ben TrenchFET SI3585CDV-T1-GE3
- onsemi P-Kanal 1 6 ben, TSOP-6 NTGS3441T1G
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 1 30 V TSMT, QS6M3 QS6M3TR
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 1 2 A 20 V MCPH MCH6660-TL-H
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 2 6 ben OptiMOS™ BSL308CH6327XTSA1
