Infineon 1 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET-arrays, 2.3 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-4334
- Producentens varenummer:
- BSL308CH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 3.756,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.695,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 9.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 1,252 | Kr. 3.756,00 |
| 6000 + | Kr. 1,221 | Kr. 3.663,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4334
- Producentens varenummer:
- BSL308CH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET-arrays | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 57mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.6W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | -5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.6mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET-arrays | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOP | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 57mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.6W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk -5nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.6mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS seriens MOSFET-arrays, 30 V maksimal drain source-spænding, 2,3 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSL308CH6327XTSA1
Egenskaber og fordele:
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 2,3 A muliggør moderat belastningshåndtering
• Maks. Vds 30 V understøtter 30 V systemarkitekturer
• Maksimal gate-source-spænding 20 V beskytter gate-integriteten under transienter
• Forward-spænding 1,1 V forbedrer effektiviteten i diodeledningsstier
• Mærkeværdi op til 150 °C muliggør pålidelig drift ved høje forbindelsestemperaturer
Anvendelser
• Ideel til omskiftertrin for DC-DC-omformere med høj tæthed
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb i køretøjer og udstyr
• Kan bruges til omskiftning af motordriver på den lave side eller den høje side
• Velegnet til kompakt strømfordeling på overflademonterede printkort
Hvilken monteringstype kræves der til kortmontering?
Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?
Er der separate transistorelementer pr. chip?
Hvilke standarder og materialoverensstemmelse angives?
Relaterede links
- Infineon 1 Type P MOSFET-arrays 6 Ben OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type P MOSFET 6 Ben OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret 2 A 30 V Forbedring TSOP, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon 2 Type N MOSFET 6 Ben OptiMOS™ AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 2.3 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Type N MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
