Infineon 1 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET-arrays, 2.3 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-4335
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-398
- Producentens varenummer:
- BSL308CH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 121,70
(ekskl. moms)
Kr. 152,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 11.350 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 2,434 | Kr. 121,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4335
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-398
- Producentens varenummer:
- BSL308CH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET-arrays | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 57mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.6W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | -5nC | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Længde | 2.9mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET-arrays | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOP | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 57mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.6W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk -5nC | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS | ||
Længde 2.9mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Denne Infineon Optimus P3+ OptiMOS 2 MOSFET - en n-kanal og en p-kanal MOSFET i samme pakke - er en højeffektiv løsning til strømgenerering (f.eks. solmikro-inverter), strømforsyning (f.eks. server og telekommunikation) og strømforbrug (f.eks. elektrisk køretøj). Det er lavine-vurderet
Den er 100 % blyfri og i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Infineon 1 Type P MOSFET-arrays 6 Ben OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type P MOSFET 6 Ben OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret 2 A 30 V Forbedring TSOP, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon 2 Type N MOSFET 6 Ben OptiMOS™ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 5 A 55 V Forbedring DSO, OptiMOS AEC-Q101