Infineon 1 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET-arrays, 2.3 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101

RS-varenummer:: 214-4335
Elfa Distrelec varenummer:: 304-39-398
Producentens varenummer:: BSL308CH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon 1 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET-arrays, 2.3 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 121,70

(ekskl. moms)

Kr. 152,10

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

11.250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
50 +	Kr. 2,434	Kr. 121,70

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-4335
Elfa Distrelec varenummer:: 304-39-398
Producentens varenummer:: BSL308CH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET-arrays
	Kanaltype	Type P, Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	2.3A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	TSOP
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	57mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	-5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	0.6W
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Transistorkonfiguration	Dobbelt
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	IEC61249-2-21, RoHS
	Bredde	1.6mm
	Længde	2.9mm
	Højde	1mm
	Antal elementer per chip	1
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET-arrays
	Kanaltype Type P, Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype TSOP
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 57mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk -5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 0.6W
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Transistorkonfiguration Dobbelt
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS
	Bredde 1.6mm
	Længde 2.9mm
	Højde 1mm
	Antal elementer per chip 1
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - BSL308CH6327XTSA1

Infineon OptiMOS seriens MOSFET-arrays, 30 V maksimal drain source-spænding, 2,3 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSL308CH6327XTSA1

Denne MOSFET-array-enhed giver parrede P-kanal- og N-kanal-transistorer i en kompakt pakke til overflademontering til koblings- og strømstyringsroller inden for bil- og industriel elektronik. Den leveres i et TSOP 6-benet format, der er designet til integration på kortniveau og drift på tværs af et bredt omgivende område, og understøtter typisk gate-ladningsadfærd, der er velegnet til hurtige skifteopgaver.

Egenskaber og fordele:

• Lav Rds(on) 57 mΩ reducerer ledningstab og varmeudvikling
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 2,3 A muliggør moderat belastningshåndtering
• Maks. Vds 30 V understøtter 30 V systemarkitekturer
• Maksimal gate-source-spænding 20 V beskytter gate-integriteten under transienter
• Forward-spænding 1,1 V forbedrer effektiviteten i diodeledningsstier
• Mærkeværdi op til 150 °C muliggør pålidelig drift ved høje forbindelsestemperaturer

Anvendelser

• Velegnet til karrosseristyringsmoduler til biler, der kræver AEC-overensstemmelse
• Ideel til omskiftertrin for DC-DC-omformere med høj tæthed
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb i køretøjer og udstyr
• Kan bruges til omskiftning af motordriver på den lave side eller den høje side
• Velegnet til kompakt strømfordeling på overflademonterede printkort

Hvilken monteringstype kræves der til kortmontering?

Det er en overflademonteret enhed i et TSOP 6-benet hus, der er beregnet til reflow-lodning til standard printkortjordmønstre.

Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?

Enheden er specificeret til drift fra -55 °C op til maks. 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer.

Er der separate transistorelementer pr. chip?

Der er et element pr. chip konfigureret som en dobbelt transistorarrangement, der leverer både P- og N-kanalfunktioner.

Hvilke standarder og materialoverensstemmelse angives?

Komponenten er i overensstemmelse med RoHS og fremstillet af materialer i overensstemmelse med IEC 61249‐2‐21.