Infineon 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 1.5 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP-6, OptiMOS™ AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 110-7129
- Producentens varenummer:
- BSL316CH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 60 enheder)*
Kr. 109,86
(ekskl. moms)
Kr. 137,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 31.080 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 60 + | Kr. 1,831 | Kr. 109,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 110-7129
- Producentens varenummer:
- BSL316CH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Emballagetype | TSOP-6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.86V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.6 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-36-975 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Emballagetype TSOP-6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.86V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.6 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-36-975 | ||
Infineon OptiMOSTM MOSFET med dobbelt effekt
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, som omfatter CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET-serierne. De leverer den bedste ydelse i sin klasse for at give mere effektivitet, effekttæthed og omkostningseffektivitet. Design, der kræver høj kvalitet og forbedrede beskyttelsesfunktioner, drager fordel af AEC-Q101 industristandarder, MOSFET'er, der er kvalificeret til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 1 1 6 ben OptiMOS™ BSL316CH6327XTSA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 2 6 ben OptiMOS™ BSL308CH6327XTSA1
- Vishay P-Kanal 1 TSOP-6 SI3437DV-T1-GE3
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 1 -1 -20 (P-kanal) V TSOP-6,
- Infineon P-Kanal 2 A 30 V TSOP-6, OptiMOS P BSL308PEH6327XTSA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 1 6 ben OptiMOS™ BSL215CH6327XTSA1
- Vishay P-Kanal 8 A 30 V TSOP-6 SQ3495EV-T1_GE3
- Infineon P-Kanal 5 6 ben HEXFET IRFTS9342TRPBF
