STMicroelectronics Dual N-Kanal, MOSFET 95 V, 5 Ben, LBB

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1.368,32

(ekskl. moms)

Kr. 1.710,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 20 enhed(er) afsendes fra 05. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 1.368,32
2 - 2Kr. 1.332,79
3 +Kr. 1.299,87

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
261-5584
Producentens varenummer:
RF5L15120CB4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Dual N

Produkttype

MOSFET

Drain source spænding maks. Vds

95V

Emballagetype

LBB

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

10 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

2002/95/EC

Længde

28.95mm

Bredde

5.85 mm

Højde

2.1mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, der er designet til bredbånds kommerciel kommunikation, tv-udsendelse, avionik og industrielle anvendelser med frekvenser fra HF til 1,5 GHz. Den kan bruges i klasse AB/B og klasse C til alle typiske modulationsformater.

Høj effektivitet og lineær forstærkning

Integreret ESD-beskyttelse

Stort positivt og negativt gate- eller kildespændingsområde

Fremragende termisk stabilitet, lav HCI-drift

Relaterede links