STMicroelectronics Dual N-Kanal, MOSFET 95 V, 5 Ben, LBB

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 100 enheder)*

Kr. 132.844,00

(ekskl. moms)

Kr. 166.055,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
100 - 100Kr. 1.328,44Kr. 132.844,00
200 - 200Kr. 1.294,377Kr. 129.437,70
300 +Kr. 1.262,017Kr. 126.201,70

*Vejledende pris

RS-varenummer:
261-5583
Producentens varenummer:
RF5L15120CB4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Dual N

Produkttype

MOSFET

Drain source spænding maks. Vds

95V

Emballagetype

LBB

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

Portkildespænding maks.

10 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.85 mm

Standarder/godkendelser

2002/95/EC

Højde

2.1mm

Længde

28.95mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, der er designet til bredbånds kommerciel kommunikation, tv-udsendelse, avionik og industrielle anvendelser med frekvenser fra HF til 1,5 GHz. Den kan bruges i klasse AB/B og klasse C til alle typiske modulationsformater.

Høj effektivitet og lineær forstærkning

Integreret ESD-beskyttelse

Stort positivt og negativt gate- eller kildespændingsområde

Fremragende termisk stabilitet, lav HCI-drift

Relaterede links