STMicroelectronics Dual N-Kanal, MOSFET 95 V, 5 Ben, LBB
- RS-varenummer:
- 261-5583
- Producentens varenummer:
- RF5L15120CB4
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 100 enheder)*
Kr. 132.844,00
(ekskl. moms)
Kr. 166.055,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 100 + | Kr. 1.328,44 | Kr. 132.844,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-5583
- Producentens varenummer:
- RF5L15120CB4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 95V | |
| Emballagetype | LBB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.1mm | |
| Standarder/godkendelser | 2002/95/EC | |
| Længde | 28.95mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain source spænding maks. Vds 95V | ||
Emballagetype LBB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.1mm | ||
Standarder/godkendelser 2002/95/EC | ||
Længde 28.95mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, der er designet til bredbånds kommerciel kommunikation, tv-udsendelse, avionik og industrielle anvendelser med frekvenser fra HF til 1,5 GHz. Den kan bruges i klasse AB/B og klasse C til alle typiske modulationsformater.
Høj effektivitet og lineær forstærkning
Integreret ESD-beskyttelse
Stort positivt og negativt gate- eller kildespændingsområde
Fremragende termisk stabilitet, lav HCI-drift
Relaterede links
- STMicroelectronics Dual N-Kanal 5 Ben, LBB
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 90 V LBB
- STMicroelectronics Enkelt Type N-Kanal 5 Ben RF3L
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand 16 A 100 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 100 V Dual N TDSON,
- Infineon Dual N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,
- STMicroelectronics Dual N-Kanal 0.4 A 450 V Forbedring SO-8, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 95 A 650 V Udtømning H2PAK, SCT