STMicroelectronics Dual N-Kanal, MOSFET, 0.4 A 450 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SuperMESH

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 117,59

(ekskl. moms)

Kr. 146,99

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 5.930 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 11,759Kr. 117,59
100 - 490Kr. 8,048Kr. 80,48
500 - 990Kr. 6,784Kr. 67,84
1000 - 2490Kr. 6,552Kr. 65,52
2500 +Kr. 6,283Kr. 62,83

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-447
Producentens varenummer:
STS1DNC45
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Dual N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.4A

Drain source spænding maks. Vds

450V

Emballagetype

SO-8

Serie

SuperMESH

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.5Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-65°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af veletableret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

Standardkontur til nem automatisk montering til overflademontering

Gate-opladning minimeres

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.