STMicroelectronics Dual N-Kanal, MOSFET, 0.4 A 450 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SuperMESH

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 114,89

(ekskl. moms)

Kr. 143,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 11,489Kr. 114,89
100 - 240Kr. 10,913Kr. 109,13
250 - 490Kr. 10,135Kr. 101,35
500 - 990Kr. 9,305Kr. 93,05
1000 +Kr. 8,961Kr. 89,61

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-447
Producentens varenummer:
STS1DNC45
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Dual N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.4A

Drain source spænding maks. Vds

450V

Emballagetype

SO-8

Serie

SuperMESH

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.5Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-65°C

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af veletableret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

Standardkontur til nem automatisk montering til overflademontering

Gate-opladning minimeres

Relaterede links