Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 20.5 A -30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8 AEC-Q101 SI4151DY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 59,17

(ekskl. moms)

Kr. 73,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 7.475 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 11,834Kr. 59,17
50 - 245Kr. 11,13Kr. 55,65
250 - 495Kr. 10,054Kr. 50,27
500 - 1245Kr. 9,484Kr. 47,42
1250 +Kr. 8,886Kr. 44,43

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0244
Producentens varenummer:
SI4151DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20.5A

Drain source spænding maks. Vds

-30V

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

5.6W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

58nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. P-kanals MOSFET-substratet indeholder elektroner og elektronhuller. P-kanals MOSFET'er er forbundet til en positiv spænding. Disse MOSFET'er tændes, når spændingen, der leveres til gateterminalen, er lavere end kildespændingen.

TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links