Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 20.5 A -30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 252-0244
- Producentens varenummer:
- SI4151DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 64,18
(ekskl. moms)
Kr. 80,225
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 7.475 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,836 | Kr. 64,18 |
| 50 - 245 | Kr. 12,088 | Kr. 60,44 |
| 250 - 495 | Kr. 10,89 | Kr. 54,45 |
| 500 - 1245 | Kr. 10,292 | Kr. 51,46 |
| 1250 + | Kr. 9,634 | Kr. 48,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 252-0244
- Producentens varenummer:
- SI4151DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.01mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5.6W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.01mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5.6W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. P-kanals MOSFET-substratet indeholder elektroner og elektronhuller. P-kanals MOSFET'er er forbundet til en positiv spænding. Disse MOSFET'er tændes, når spændingen, der leveres til gateterminalen, er lavere end kildespændingen.
TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 20.5 A -30 V Forbedring SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 13.6 A -30 V Forbedring SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 65.7 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 105 A 20 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type P-Kanal 227 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type P-Kanal 198 A 40 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 195 A 30 V Forbedring SO-8, SiRA99DP