Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 0.53 A 20 V, 3 Ben, SC-89 Nej SI1062X-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 256-7339
- Producentens varenummer:
- SI1062X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 33,30
(ekskl. moms)
Kr. 41,625
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 1,332 | Kr. 33,30 |
| 50 - 75 | Kr. 1,304 | Kr. 32,60 |
| 100 - 225 | Kr. 0,975 | Kr. 24,38 |
| 250 - 975 | Kr. 0,964 | Kr. 24,10 |
| 1000 + | Kr. 0,503 | Kr. 12,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7339
- Producentens varenummer:
- SI1062X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.53A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-89 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.53A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-89 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor N-kanal 20 V 530 mA (Ta) 220 mW (Ta) har overflademontering med SC-89-3 hustype og dens anvendelser er belastning, strømswitching til bærbare enheder, drivere, batteridrevne systemer, strømforsyningskonverterkredsløb.
TrenchFET Power Mosfet
Gate-source ESD-beskyttet 1000 V
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 530 mA 20 V, SC-89 SI1062X-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 500 mA 20 V SC-89-6, TrenchFET SI1034CX-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 190 mA 6 ben, SC-89-6 SI1029X-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 760 mA 30 V SC-89-6 SI1077X-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 135 mA 60 V SC-89-6 SI1025X-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 1 6 ben, SC-89-6 SI1070X-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 370 mA 60 V, SC-70 SI1926DL-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 140 mA 20 V, SC-75A SI1031R-T1-GE3
