Vishay N-Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5442DU

RS-varenummer:: 256-7365
Producentens varenummer:: SI5442DU-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5442DU

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 70,73

(ekskl. moms)

Kr. 88,40

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 2.675 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 +	Kr. 2,829	Kr. 70,73

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 256-7365
Producentens varenummer:: SI5442DU-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	25A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Serie	SI5442DU
	Emballagetype	PowerPAK ChipFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.0135Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	16.6nC
	Portkildespænding maks.	8V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	31W
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	850μm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Serie SI5442DU
	Emballagetype PowerPAK ChipFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.0135Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.6nC
	Portkildespænding maks. 8V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 31W
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 850μm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SI5442DU-T1-GE3

Vishay SI5442DU seriens MOSFET, 20 V maksimal drain-kildespænding, 25 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI5442DU-T1-GE3

Denne MOSFET er en N-kanals koblingstransistor, der er designet til stærkstrøms-strømstyringsroller i kompakte overflademonterede enheder. Den fungerer som en lavspændingsstrømenhed, der er velegnet til DC-DC-konvertere og synkrone skiftetopologier, og fungerer over et bredt omgivende område til krævende termiske miljøer.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding på 0.0135 Ω, der giver reducerede ledningstab
• Kontinuerlig afløbskapacitet 25 A understøtter skinner med høj strømstyrke
• Drain-source modstandsdygtig over for 20 V, hvilket muliggør lavspændingstrin
• Porttolerance op til 8 V muliggør fleksible drevskemaer
• Typisk samlet gate-opladning 16,6 nC for effektiv omskiftningskontrol
• Effekttab på 31 W muliggør vedvarende termisk belastning

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-konverterudgange
• Ideel til strømfordelingsmoduler i bilkvalitet
• Anvendes til skift af højstrømsbelastning i industrielt udstyr
• Kan bruges til telekommunikationsstrømforsyningstrin
• Velegnet til belastningspunktregulering på kompakte kort

Hvilket termisk område kan enheden tolerere ved implementering?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C og passer til både koldstart og driftsforhold ved høje temperaturer.

Hvordan påvirker den fremadgående spænding effektiviteten i lavspændingssystemer?

Den typiske fremadgående spænding på 1,2 V på tværs af den egensidede diode reducerer dødtidstab og bidrager til konverterens samlede effektivitet under synkron drift.

Hvilken pakke og monteringstype er til rådighed til kortmontering?

Komponenten leveres i et 8-benet PowerPAK ChipFET-format, der er beregnet til overflademontering for at muliggøre kompakt layout og effektive termiske veje.

Er produktet i overensstemmelse med materialerestriktionsdirektiver?

Komponenten opfylder RoHS-kravene, hvilket begrænser visse farlige stoffer i enhedens sammensætning.