Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V, PowerPAK Nej SISS42LDN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 256-7435
- Producentens varenummer:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 64,25
(ekskl. moms)
Kr. 80,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.970 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,85 | Kr. 64,25 |
| 50 - 95 | Kr. 12,446 | Kr. 62,23 |
| 100 - 245 | Kr. 10,502 | Kr. 52,51 |
| 250 - 995 | Kr. 10,322 | Kr. 51,61 |
| 1000 + | Kr. 7,51 | Kr. 37,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7435
- Producentens varenummer:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0149Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0149Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor N-kanal 100 V (D-S) mosfet meget lav RDS x Qg fortjenstværdi (FOM) anvendelser synkron ensretning, primær sidekontakt, DC, DC-konverter, solcelle mikroinverter, motordrevkontakt, batteri- og belastningskontakt, industri.
TrenchFET gen IV power mosfet
Meget lav RDS x Qg fortjenstværdi (FOM)
Justeret til den laveste RDS x Qoss FOM
100 % Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 11 PowerPAK 1212-8S SISS42LDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 12 8 ben, PowerPAK 1212-8S SiSS92DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 67 8 ben, PowerPAK 1212-8S SiSS76LDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 162 A 30 V PowerPAK 1212-8S SiSS52DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 58.1 A. 80 V PowerPAK 1212-8S SiSS588DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 181 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS60DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 33 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 26 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS5710DN-T1-GE3
