Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V, PowerPAK Nej SISS42LDN-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 64,25

(ekskl. moms)

Kr. 80,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.970 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,85Kr. 64,25
50 - 95Kr. 12,446Kr. 62,23
100 - 245Kr. 10,502Kr. 52,51
250 - 995Kr. 10,322Kr. 51,61
1000 +Kr. 7,51Kr. 37,55

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
256-7435
Producentens varenummer:
SISS42LDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.3A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

0.0149Ω

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Semiconductor N-kanal 100 V (D-S) mosfet meget lav RDS x Qg fortjenstværdi (FOM) anvendelser synkron ensretning, primær sidekontakt, DC, DC-konverter, solcelle mikroinverter, motordrevkontakt, batteri- og belastningskontakt, industri.

TrenchFET gen IV power mosfet

Meget lav RDS x Qg fortjenstværdi (FOM)

Justeret til den laveste RDS x Qoss FOM

100 % Rg og UIS testet

Relaterede links