Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 30 V, PowerPAK SO-8 Nej SIRA12DP-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 256-7431
- Producentens varenummer:
- SIRA12DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 22,59
(ekskl. moms)
Kr. 28,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.985 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 4,518 | Kr. 22,59 |
| 50 - 95 | Kr. 4,054 | Kr. 20,27 |
| 100 - 245 | Kr. 3,156 | Kr. 15,78 |
| 250 - 995 | Kr. 3,112 | Kr. 15,56 |
| 1000 + | Kr. 2,394 | Kr. 11,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7431
- Producentens varenummer:
- SIRA12DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0095Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0095Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor N-kanal 30 V 25 A (Tc) 4,5 W (Ta), 31 W (Tc) iTime til overflademontering er halogenfri i overensstemmelse med IEC 61249-2-21 definition, og dens anvendelser er DC, DC med høj effekttæthed, synkron ensretning, VRM'er og embedded DC, DC.
TrenchFET gen IV power mosfet
100 % Rg og UIS testet
I overensstemmelse med RoHS-direktiv 2002/95/EF
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 25 A 30 V, PowerPAK SO-8 Nej
- Vishay Type N-Kanal 33 A 30 V, PowerPAK SO-8 Nej SIRA18DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 30 V, PowerPAK SO-8 Nej SIRA10DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 30 A 20 V, PowerPAK SO-8 Nej SIR424DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V, PowerPAK SO-8 Nej SIRA04DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 7.5 A 100 V, PowerPAK SO-8 Nej SIR698DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L Nej SIJ482DP-T1-GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 60 A 30 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SIRC06DP-T1-GE3
