Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5418DU Nej SI5418DU-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 109,66

(ekskl. moms)

Kr. 137,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 5,483Kr. 109,66
100 - 180Kr. 5,371Kr. 107,42
200 - 480Kr. 4,384Kr. 87,68
500 - 980Kr. 4,279Kr. 85,58
1000 +Kr. 3,452Kr. 69,04

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
818-1318
Producentens varenummer:
SI5418DU-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

Si5418DU

Emballagetype

PowerPAK ChipFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

18.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

31W

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.08mm

Højde

0.85mm

Bredde

1.98 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links