Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Forbedring, 8 Ben, 1206-8 ChipFET, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 6,13

(ekskl. moms)

Kr. 7,66

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 31. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 6,13

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-215
Producentens varenummer:
SI5908BDC-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

1206-8 ChipFET

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.05Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.5nC

Portkildespænding maks.

8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.1mm

Bredde

1.975mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Højde

1.1mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.