Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 295 A 40 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5829
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-544
- Producentens varenummer:
- IRFS7437TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 28,57
(ekskl. moms)
Kr. 35,712
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 784 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 14,285 | Kr. 28,57 |
| 20 - 48 | Kr. 12,98 | Kr. 25,96 |
| 50 - 98 | Kr. 12,12 | Kr. 24,24 |
| 100 - 198 | Kr. 11,255 | Kr. 22,51 |
| 200 + | Kr. 10,395 | Kr. 20,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5829
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-544
- Producentens varenummer:
- IRFS7437TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 295A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 231W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.54mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 295A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 231W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.54mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Effekthus til overflademontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 295 A 40 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 7 Ben HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 190 A 100 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 362 A 40 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 260 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 240 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 269 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET
