Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 295 A 40 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRFS7437TRL7PP
- RS-varenummer:
- 257-5829
- Producentens varenummer:
- IRFS7437TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 42,91
(ekskl. moms)
Kr. 53,638
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 784 enhed(er) afsendes fra 30. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 21,455 | Kr. 42,91 |
| 20 - 48 | Kr. 19,485 | Kr. 38,97 |
| 50 - 98 | Kr. 18,215 | Kr. 36,43 |
| 100 - 198 | Kr. 16,94 | Kr. 33,88 |
| 200 + | Kr. 15,67 | Kr. 31,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5829
- Producentens varenummer:
- IRFS7437TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 295A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 231W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.54mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-40-544 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 295A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 231W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.54mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Distrelec Product Id 304-40-544 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Effekthus til overflademontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 295 A 40 V HEXFET IRFS7437TRL7PP
- Infineon N-Kanal 478 A. 40 V D2PAK-7, HEXFET IRL40SC209
- Infineon N-Kanal 557 A. 40 V D2PAK-7, HEXFET IRL40SC228
- Infineon N-Kanal 380 A 40 V D2PAK-7, HEXFET IRLS3034TRL7PP
- Infineon N-Kanal 320 A 40 V D2PAK-7, HEXFET AUIRF2804STRL7P
- Infineon N-Kanal 522 A 40 V D2PAK-7, HEXFET IRFS7430TRL7PP
- Infineon N-Kanal 400 A 40 V D2PAK-7, HEXFET IRFS3004TRL7PP
- Infineon N-Kanal 523 A. 40 V D2PAK-7, HEXFET AUIRFSA8409-7TRL
