Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 72 A 200 V, TO-262, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5836
- Producentens varenummer:
- IRFS4127TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 54,75
(ekskl. moms)
Kr. 68,438
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 13. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 27,375 | Kr. 54,75 |
| 20 - 48 | Kr. 24,385 | Kr. 48,77 |
| 50 - 98 | Kr. 22,965 | Kr. 45,93 |
| 100 - 198 | Kr. 21,32 | Kr. 42,64 |
| 200 + | Kr. 19,745 | Kr. 39,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5836
- Producentens varenummer:
- IRFS4127TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 72A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18.6mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 100nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 72A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 18.6mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed og fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA.
Forbedret husdiode dV/dt og dI/dt kapacitet
Blyfri
Synkron ensretning med høj effektivitet i SMPS
Uafbrudt strømforsyning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 72 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 49 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 382 A 24 V TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 72 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET