Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 382 A 24 V, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- RS-varenummer:
- 260-5055
- Producentens varenummer:
- AUIRF1324WL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 73,45
(ekskl. moms)
Kr. 91,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 998 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 73,45 |
| 5 - 9 | Kr. 69,71 |
| 10 - 24 | Kr. 66,87 |
| 25 - 49 | Kr. 63,88 |
| 50 + | Kr. 59,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5055
- Producentens varenummer:
- AUIRF1324WL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 382A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 24V | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 84nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 9.65mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 382A | ||
Drain source spænding maks. Vds 24V | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 84nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 9.65mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Widelead HEXFET Power MOSFET er designet specielt til brug i biler. Den har 175 °C samledriftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavinebelastning.
Avanceret procesteknologi
Meget lav modstand ved tændt
Hurtig omskiftning
Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 382 A 24 V TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 49 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 72 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 24 A 200 V HEXFET