Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 162 A 40 V, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9274
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-515
- Producentens varenummer:
- IRF1404STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 28,87
(ekskl. moms)
Kr. 36,088
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 724 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 14,435 | Kr. 28,87 |
| 20 - 48 | Kr. 13,615 | Kr. 27,23 |
| 50 - 98 | Kr. 12,865 | Kr. 25,73 |
| 100 - 198 | Kr. 11,855 | Kr. 23,71 |
| 200 + | Kr. 10,995 | Kr. 21,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9274
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-515
- Producentens varenummer:
- IRF1404STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 162A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 162A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er 40 V enkelt n-kanals HEXFET-effektmosfet i et D2 Pak-hus.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Optimeret til 10 V gate-drevspænding (kaldet normalt niveau)
Effekthus til overflademontering i industristandard
Hus med høj strømbelastningskapacitet (op til 195 A, afhængigt af matrixstørrelse)
Kan bølgeloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 162 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 162 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 162 A 100 V P iPB
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 85 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 62 A 200 V HEXFET