Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 86 A 30 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9464
- Producentens varenummer:
- IRLR8726TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 3.322,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.152,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | Kr. 1,661 | Kr. 3.322,00 |
| 4000 - 4000 | Kr. 1,617 | Kr. 3.234,00 |
| 6000 + | Kr. 1,578 | Kr. 3.156,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9464
- Producentens varenummer:
- IRLR8726TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 86A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 86A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRLR-serien er 30 V enkelt n-kanals HEXFET-effektmosfet i et D Pak-hus.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Logikniveau er optimeret til 5 V gate-drevspænding
Effekthus til overflademontering i industristandard
Kan bølgeloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 86 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 86 A 30 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 86 A 30 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 20 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 5 A 200 V HEXFET