Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 260 A 80 V P, 7 Ben, TO-263, iPB Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 27.169,00

(ekskl. moms)

Kr. 33.961,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 27,169Kr. 27.169,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3783
Producentens varenummer:
IPB015N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

260A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.5mΩ

Kanalform

P

Gennemgangsspænding Vf

0.86V

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

178nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 80 V industriel effekt MOSFET giver en RDS(on) reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er velegnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikations- og serverstrømforsyninger. Desuden kan de også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og adaptere.

Reduktion af skifte- og ledningstab

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Lavspændingsoverskridelse

Relaterede links