Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 260 A 80 V P, 7 Ben, TO-263, iPB Nej IPB015N08N5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 49,15

(ekskl. moms)

Kr. 61,44

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 49,15
10 - 24Kr. 46,75
25 - 49Kr. 45,78
50 - 99Kr. 42,86
100 +Kr. 39,27

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3784
Producentens varenummer:
IPB015N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

260A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.5mΩ

Kanalform

P

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

178nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.86V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 80 V industriel effekt MOSFET giver en RDS(on) reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er velegnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikations- og serverstrømforsyninger. Desuden kan de også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og adaptere.

Reduktion af skifte- og ledningstab

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Lavspændingsoverskridelse

Relaterede links