Infineon N-Kanal, MOSFET, 260 A 80 V P, 7 Ben, TO-263, iPB
- RS-varenummer:
- 258-3784
- Producentens varenummer:
- IPB015N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 62,31
(ekskl. moms)
Kr. 77,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 62,31 |
| 10 - 24 | Kr. 59,24 |
| 25 - 49 | Kr. 57,97 |
| 50 - 99 | Kr. 54,16 |
| 100 + | Kr. 49,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3784
- Producentens varenummer:
- IPB015N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 260A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalform | P | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 860mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 178nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 260A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ | ||
Kanalform P | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 860mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 80 V industriel effekt MOSFET giver en RDS(on) reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er velegnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikations- og serverstrømforsyninger. Desuden kan de også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og adaptere.
Reduktion af skifte- og ledningstab
Færre paralleller er påkrævet
Øget effekttæthed
Lavspændingsoverskridelse