Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4.3 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, IPD Nej IPD50R950CEAUMA1
- RS-varenummer:
- 258-3847
- Producentens varenummer:
- IPD50R950CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 26,33
(ekskl. moms)
Kr. 32,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.290 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 5,266 | Kr. 26,33 |
| 50 - 120 | Kr. 4,682 | Kr. 23,41 |
| 125 - 245 | Kr. 4,428 | Kr. 22,14 |
| 250 - 495 | Kr. 4,10 | Kr. 20,50 |
| 500 + | Kr. 2,632 | Kr. 13,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3847
- Producentens varenummer:
- IPD50R950CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 950mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 53W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 950mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 53W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOS CE er en pris-ydeevne-optimeret platform, der gør det muligt at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbruger- og belysningsmarkederne ved stadig at opfylde de højeste effektivitetsstandarder. Den nye serie giver alle fordelene ved en hurtig switching super junction MOSFET uden at gå på kompromis med brugervenlighed og giver det bedste ydeevneforhold på markedet.
Høj diodestyrke i huset
Reduceret omvendt genoprettelsesopladning
Nem styring af skifteadfærd
Relaterede links
- Infineon 6 PG-TO 252 IPD50R950CEAUMA1
- Infineon 1 PG-TO 252 IPD60R3K3C6ATMA1
- Infineon 18 PG-TO 252 IPD50R280CEAUMA1
- Infineon 9 PG-TO 252 IPD60R650CEAUMA1
- Infineon 15 PG-TO 252 IPD65R400CEAUMA1
- Infineon 2 PG-TO 252 IPD50R3K0CEAUMA1
- Infineon 3 PG-TO 252 IPD60R2K1CEAUMA1
- Infineon 31 A 650 V, PG-TO 252-3 IPD60R280PFD7SAUMA1
