Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 80 V, 3 Ben, TDSON, IPP Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 587,55

(ekskl. moms)

Kr. 734,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 11,751Kr. 587,55
100 - 200Kr. 10,812Kr. 540,60
250 +Kr. 10,224Kr. 511,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3890
Producentens varenummer:
IPP034N08N5AKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

IPP

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.4mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

69nC

Gennemgangsspænding Vf

0.97V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 80 V effekt MOSFET, specielt designet til synkron ensretning til telekommunikation og server strømforsyninger. Desuden kan enheden også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solenergi, lavspændingsdrev og adapter. I syv forskellige huse giver OptiMOS 5 80 V MOSFET'erne branchens laveste RDS(on). Desuden har OptiMOS 5 80 V i forhold til den foregående generation en RDS(on)-reduktion på op til 43 %.

Velegnet til høj skiftefrekvens

Reduktion af udgangskapacitet på op til 44 %

Højeste systemeffektivitet

Reduceret skifte- og ledningstab

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Lavspændingsoverskridelse

Relaterede links