Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 80 V, 3 Ben, TDSON, IPP
- RS-varenummer:
- 258-3891
- Producentens varenummer:
- IPP034N08N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 49,89
(ekskl. moms)
Kr. 62,362
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 6 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 24,945 | Kr. 49,89 |
| 20 - 48 | Kr. 21,955 | Kr. 43,91 |
| 50 - 98 | Kr. 20,46 | Kr. 40,92 |
| 100 - 198 | Kr. 19,225 | Kr. 38,45 |
| 200 + | Kr. 17,69 | Kr. 35,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3891
- Producentens varenummer:
- IPP034N08N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | IPP | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.4mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.97V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie IPP | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.4mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.97V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 80 V effekt MOSFET, specielt designet til synkron ensretning til telekommunikation og server strømforsyninger. Desuden kan enheden også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solenergi, lavspændingsdrev og adapter. I syv forskellige huse giver OptiMOS 5 80 V MOSFET'erne branchens laveste RDS(on). Desuden har OptiMOS 5 80 V i forhold til den foregående generation en RDS(on)-reduktion på op til 43 %.
Velegnet til høj skiftefrekvens
Reduktion af udgangskapacitet på op til 44 %
Højeste systemeffektivitet
Reduceret skifte- og ledningstab
Færre paralleller er påkrævet
Øget effekttæthed
Lavspændingsoverskridelse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V TDSON, IPP
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V N PG-TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 68 A 120 V N TDSON, BSC
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TDSON, BSC070N10NS5
- Infineon Type N-Kanal 80 A 30 V N TDSON, BSC
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 85 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC