Infineon N-Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC070N10NS5

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 96,94

(ekskl. moms)

Kr. 121,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.160 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 9,694Kr. 96,94
50 - 90Kr. 7,749Kr. 77,49
100 - 240Kr. 7,263Kr. 72,63
250 - 490Kr. 6,784Kr. 67,84
500 +Kr. 6,313Kr. 63,13

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-1963
Producentens varenummer:
BSC070N10NS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

BSC070N10NS5

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.1mm

Længde

5.49mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon BSC070N10NS5 seriens MOSFET, 80 A maksimal kontinuerlig drain-strøm, 80 V maksimal drain-kildespænding - BSC070N10NS5ATMA1


Denne MOSFET er en højstrøms, N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonterede effekttrin. Den er beregnet til omskiftning og strømkonvertering, hvor der kræves kompakt montering og robust ledning. Komponenten fungerer over et bredt temperaturområde og er bygget til anvendelser, der kræver betydelig strømhåndtering og gate-drive-tolerance.

Egenskaber og fordele:


• Meget lav Rds(on) 10,2 mΩ for reducerede ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm 80 A, der muliggør drift med høj belastning
• Maks. Vds 80 V til mellemspændingssystemer
• Typisk gate-ladning 30 nC for effektiv omskiftningskontrol
• Spidseffekttab på 83 W til håndtering af termisk belastning
• Gate-source-grænse 20 V for at beskytte drevkredsløb

Anvendelser


• Velegnet til synkrone buck-konvertertrin
• Ideel til halvbroenheder med motordrev
• Anvendes sammen med DC/DC-omformere med høj strømstyrke
• Kan bruges til serverstrømfordelingsmoduler
• Velegnet til telekommunikationsretning og koblingsudstyr

Hvilke termiske ekstremer kan enheden tolerere under drift?


Den er specificeret til at fungere pålideligt fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer.

Hvor mange ben og hvilken monteringstype bruger den?


Pakken indeholder otte ben og leveres i et TDSON-format til overflademontering til kompakt placering af printkort.

Hvilken kanaltype og -tilstand implementeres til omskiftning?


Transistoren bruger en N-type kanal i forstærkning, hvilket kræver et positivt gate-drev til ledning.

Hvilke fysiske dimensioner påvirker kortlayout og placering?


Huset måler 5,49 mm i længden, 6,35 mm i bredden og 1,1 mm i højden, hvilket informerer om bundareal og åbningsdesign.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.