Infineon N-Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC070N10NS5

RS-varenummer:: 170-2298
Producentens varenummer:: BSC070N10NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC070N10NS5

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 21.630,00

(ekskl. moms)

Kr. 27.040,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 11. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 4,326	Kr. 21.630,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 170-2298
Producentens varenummer:: BSC070N10NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	80A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	BSC070N10NS5
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	10.2mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	30nC
	Effektafsættelse maks. Pd	83W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.35mm
	Højde	1.1mm
	Længde	5.49mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Emballagetype TDSON
	Serie BSC070N10NS5
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 10.2mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC
	Effektafsættelse maks. Pd 83W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.35mm
	Højde 1.1mm
	Længde 5.49mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon BSC070N10NS5 seriens MOSFET, 80 A maksimal kontinuerlig drain-strøm, 80 V maksimal drain-kildespænding - BSC070N10NS5ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms, N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonterede effekttrin. Den er beregnet til omskiftning og strømkonvertering, hvor der kræves kompakt montering og robust ledning. Komponenten fungerer over et bredt temperaturområde og er bygget til anvendelser, der kræver betydelig strømhåndtering og gate-drive-tolerance.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav Rds(on) 10,2 mΩ for reducerede ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm 80 A, der muliggør drift med høj belastning
• Maks. Vds 80 V til mellemspændingssystemer
• Typisk gate-ladning 30 nC for effektiv omskiftningskontrol
• Spidseffekttab på 83 W til håndtering af termisk belastning
• Gate-source-grænse 20 V for at beskytte drevkredsløb

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-konvertertrin
• Ideel til halvbroenheder med motordrev
• Anvendes sammen med DC/DC-omformere med høj strømstyrke
• Kan bruges til serverstrømfordelingsmoduler
• Velegnet til telekommunikationsretning og koblingsudstyr

Hvilke termiske ekstremer kan enheden tolerere under drift?

Den er specificeret til at fungere pålideligt fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer.

Hvor mange ben og hvilken monteringstype bruger den?

Pakken indeholder otte ben og leveres i et TDSON-format til overflademontering til kompakt placering af printkort.

Hvilken kanaltype og -tilstand implementeres til omskiftning?

Transistoren bruger en N-type kanal i forstærkning, hvilket kræver et positivt gate-drev til ledning.

Hvilke fysiske dimensioner påvirker kortlayout og placering?

Huset måler 5,49 mm i længden, 6,35 mm i bredden og 1,1 mm i højden, hvilket informerer om bundareal og åbningsdesign.