Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC040N08NS5
- RS-varenummer:
- 171-1969
- Producentens varenummer:
- BSC040N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 127,46
(ekskl. moms)
Kr. 159,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.310 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 12,746 | Kr. 127,46 |
| 50 - 90 | Kr. 12,118 | Kr. 121,18 |
| 100 - 240 | Kr. 10,906 | Kr. 109,06 |
| 250 - 490 | Kr. 9,799 | Kr. 97,99 |
| 500 + | Kr. 9,32 | Kr. 93,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-1969
- Producentens varenummer:
- BSC040N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | BSC040N08NS5 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 43nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 880mV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.35mm | |
| Længde | 5.49mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie BSC040N08NS5 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 880mV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.35mm | ||
Længde 5.49mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon BSC040N08NS5 seriens MOSFET, 80 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC040N08NS5ATMA1
Denne MOSFET er en silicium N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til højstrømsomskiftning i overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den fungerer over et bredt industrielt temperaturområde og er velegnet til systemer, der kræver robust ledning og hurtig omskiftning. Enheden giver en høj kontinuerlig strømkapacitet og er konfigureret til brug, hvor der kræves kompakt, strømhåndtering med lavt tab.
Egenskaber og fordele:
• 80 V afløbsspænding, der muliggør højspændingskontaktfunktion
• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter kraftige strømbelastninger
• 5.7 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 104 W effekttab for øget termisk belastning
• 43 nC typisk gate-ladning, der muliggør effektive skifteovergange
• Vgs 20 V maks. portklassificering, der muliggør brede portdrevmargener
• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter kraftige strømbelastninger
• 5.7 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 104 W effekttab for øget termisk belastning
• 43 nC typisk gate-ladning, der muliggør effektive skifteovergange
• Vgs 20 V maks. portklassificering, der muliggør brede portdrevmargener
Anvendelser
• Velegnet til DC-DC-omformere i strømstyringssystemer
• Ideel til motordrevstrin i industrielle styreenheder
• Anvendes til synkron ensretning i strømforsyninger
• Kan bruges til omskiftning af højstrømsbelastninger i telekommunikationsstativer
• Velegnet til implementering af effekttrin i invertermoduler
• Ideel til motordrevstrin i industrielle styreenheder
• Anvendes til synkron ensretning i strømforsyninger
• Kan bruges til omskiftning af højstrømsbelastninger i telekommunikationsstativer
• Velegnet til implementering af effekttrin i invertermoduler
Hvilken hustype anvender den, og hvorfor er det relevant?
Den leveres i en kompakt TDSON-pakke til overflademontering, der letter layouter med lav induktans og effektiv varmeoverførsel på kortniveau.
Hvad er de miljømæssige driftsgrænser for denne enhed?
Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i en bred vifte af industrielle temperaturforhold.
Hvor mange forbindelser giver pakken til printkortrouting?
Enheden leveres med otte ben til understøttelse af strøm- og gate/termiske forbindelser for robust PCB-integration.
Hvad er kanalledningstypen og -tilstanden for kredsløbsdesign?
Den bruger en N-kanal-forbedringstilstandskonfiguration, der er velegnet til lav-side- og synkrone skiftetopologier.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TDSON, BSC040N08NS5
- Infineon N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TDSON, BSC070N10NS5
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TDSON, BSC030N08NS5
- Infineon N-Kanal 74 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS-TM5
- Infineon N-Kanal 131 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS-TM5
- Infineon N-Kanal 23 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 55 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3