Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC040N08NS5 Nej BSC040N08NS5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 123,89

(ekskl. moms)

Kr. 154,86

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.410 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 12,389Kr. 123,89
50 - 90Kr. 11,774Kr. 117,74
100 - 240Kr. 10,592Kr. 105,92
250 - 490Kr. 9,522Kr. 95,22
500 +Kr. 9,058Kr. 90,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-1969
Producentens varenummer:
BSC040N08NS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

TDSON

Serie

BSC040N08NS5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

43nC

Gennemgangsspænding Vf

0.88V

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.49mm

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.35 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS 5 80 V Power MOSFET, specielt designet til synkron ensretning til telekommunikation og serverstrømforsyninger. Desuden kan enheden også anvendes i andre industrielle anvendelser, f.eks. solceller, lavspændingsdrev og adapter.

Højeste systemeffektivitet

Færre skift og ledningstab

Mindre parallelisering nødvendig

Forøget effekttæthed

Lav udgangsspændingsoversving

Relaterede links