Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC040N08NS5

RS-varenummer:: 170-2307
Producentens varenummer:: BSC040N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC040N08NS5

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 30.600,00

(ekskl. moms)

Kr. 38.250,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 08. februar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 6,12	Kr. 30.600,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 170-2307
Producentens varenummer:: BSC040N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	100A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Serie	BSC040N08NS5
	Emballagetype	TDSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	5.7mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	104W
	Gennemgangsspænding Vf	880mV
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	43nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.35mm
	Højde	1.1mm
	Længde	5.49mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Serie BSC040N08NS5
	Emballagetype TDSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 5.7mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 104W
	Gennemgangsspænding Vf 880mV
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.35mm
	Højde 1.1mm
	Længde 5.49mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon BSC040N08NS5 seriens MOSFET, 80 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC040N08NS5ATMA1

Denne MOSFET er en silicium N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til højstrømsomskiftning i overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den fungerer over et bredt industrielt temperaturområde og er velegnet til systemer, der kræver robust ledning og hurtig omskiftning. Enheden giver en høj kontinuerlig strømkapacitet og er konfigureret til brug, hvor der kræves kompakt, strømhåndtering med lavt tab.

Egenskaber og fordele:

• 80 V afløbsspænding, der muliggør højspændingskontaktfunktion
• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter kraftige strømbelastninger
• 5.7 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 104 W effekttab for øget termisk belastning
• 43 nC typisk gate-ladning, der muliggør effektive skifteovergange
• Vgs 20 V maks. portklassificering, der muliggør brede portdrevmargener

Anvendelser

• Velegnet til DC-DC-omformere i strømstyringssystemer
• Ideel til motordrevstrin i industrielle styreenheder
• Anvendes til synkron ensretning i strømforsyninger
• Kan bruges til omskiftning af højstrømsbelastninger i telekommunikationsstativer
• Velegnet til implementering af effekttrin i invertermoduler

Hvilken hustype anvender den, og hvorfor er det relevant?

Den leveres i en kompakt TDSON-pakke til overflademontering, der letter layouter med lav induktans og effektiv varmeoverførsel på kortniveau.

Hvad er de miljømæssige driftsgrænser for denne enhed?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i en bred vifte af industrielle temperaturforhold.

Hvor mange forbindelser giver pakken til printkortrouting?

Enheden leveres med otte ben til understøttelse af strøm- og gate/termiske forbindelser for robust PCB-integration.

Hvad er kanalledningstypen og -tilstanden for kredsløbsdesign?

Den bruger en N-kanal-forbedringstilstandskonfiguration, der er velegnet til lav-side- og synkrone skiftetopologier.